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CYD09S18V18-200BBXC

IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

Infineon

英飞凌

CYD09S18V18-200BBXC

Package:256-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CYD18S72V-133BBI

Cypress(赛普拉斯)
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Cypress(赛普拉斯)

上传:深圳诚思涵科技有限公司

Cypress(赛普拉斯)

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上传:深圳市宇创芯科技有限公司

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TSSOP

SILICON

产品属性

  • 产品编号:

    CYD09S18V18-200BBXC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 双端口,同步

  • 存储容量:

    9Mb(512K x 18)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.42V ~ 1.58V,1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    256-LBGA

  • 供应商器件封装:

    256-FBGA(17x17)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA

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更多CYD09S18V18-200BBXC供应商 更新时间2025-10-10 16:31:00