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CYD09S18V18-200BBXC中文资料IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA数据手册Infineon规格书

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厂商型号

CYD09S18V18-200BBXC

参数属性

CYD09S18V18-200BBXC 封装/外壳为256-LBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 256FBGA

功能描述

IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

封装外壳

256-LBGA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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CYD09S18V18-200BBXC价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 制造商编号

    :CYD09S18V18-200BBXC

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 存储器格式

    :SRAM

  • 技术

    :SRAM - 双端口,同步

  • 存储容量

    :9Mb (512K x 18)

  • 时钟频率

    :200MHz

  • 写周期时间 - 字,页

    :-

  • 访问时间

    :3.3ns

  • 存储器接口

    :并联

  • 电压 - 电源

    :1.42V ~ 1.58V,1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度

    :0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :256-LBGA

  • 供应商器件封装

    :256-FBGA(17x17)

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