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CY7C2263XV18	文件：1.3222 Mbytes Page：29 Pages	36-Mbit QDR짰 II Xtreme SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT 文件：1.3222 Mbytes 页数：29 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C2263XV18	文件：300 bytes Page：1 Pages	36-Mbit QDR® II Xtreme SRAM Four-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) with ODT	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C2263XV18-600BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C2263XV18-633BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C2263XV18-600BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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技术参数

Density：
36 MBit
Peak Reflow Temp：
260 °C
Operating Temperature：
0 °C to 70 °C
Operating Voltage：
1.7 V to 1.9 V
Lead Ball Finish：
Sn/Ag/Cu
Interfaces：
Parallel
Data Width：
x 18
Architecture：
QDR-II+ Xtreme
On-Die Termination：
Y
Family：
QDR-II+ Xtreme
Organization (X x Y)：
2Mb x 18
Burst Length(Words)：
4
Qualification：
Commercial
Read Latency (Cycles)：
2.5
Bank Switching：
N
Frequency：
600 MHz

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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