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CY7C1380C	文件：788.82 Kbytes Page：36 Pages	18-Mb (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1380CV25	文件：519.659 Kbytes Page：33 Pages	512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshighspeed,low-powerCMOSdesignsusingadvancedsingle-layerpolysilicon,triple-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsofsixtransistors. Features •Fastclockspeed:250,225,200,167MHz •Providehigh-p	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1380CV25-167AC	文件：519.659 Kbytes Page：33 Pages	512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshighspeed,low-powerCMOSdesignsusingadvancedsingle-layerpolysilicon,triple-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsofsixtransistors. Features •Fastclockspeed:250,225,200,167MHz •Providehigh-p	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1380CV25-167BGC	文件：519.659 Kbytes Page：33 Pages	512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshighspeed,low-powerCMOSdesignsusingadvancedsingle-layerpolysilicon,triple-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsofsixtransistors. Features •Fastclockspeed:250,225,200,167MHz •Providehigh-p	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1380CV25-167BGI	文件：519.659 Kbytes Page：33 Pages	512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshighspeed,low-powerCMOSdesignsusingadvancedsingle-layerpolysilicon,triple-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsofsixtransistors. Features •Fastclockspeed:250,225,200,167MHz •Providehigh-p	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1380CV25-167BZC	文件：519.659 Kbytes Page：33 Pages	512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshighspeed,low-powerCMOSdesignsusingadvancedsingle-layerpolysilicon,triple-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsofsixtransistors. Features •Fastclockspeed:250,225,200,167MHz •Providehigh-p	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1380CV25-167BZI	文件：519.659 Kbytes Page：33 Pages	512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshighspeed,low-powerCMOSdesignsusingadvancedsingle-layerpolysilicon,triple-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsofsixtransistors. Features •Fastclockspeed:250,225,200,167MHz •Providehigh-p	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1380CV25-200AC	文件：519.659 Kbytes Page：33 Pages	512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshighspeed,low-powerCMOSdesignsusingadvancedsingle-layerpolysilicon,triple-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsofsixtransistors. Features •Fastclockspeed:250,225,200,167MHz •Providehigh-p	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1380CV25-200AI	文件：519.659 Kbytes Page：33 Pages	512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM FunctionalDescription TheCypressSynchronousBurstSRAMfamilyemployshighspeed,low-powerCMOSdesignsusingadvancedsingle-layerpolysilicon,triple-layermetaltechnology.Eachmemorycellconsistsofsixtransistors. Features •Fastclockspeed:250,225,200,167MHz •Providehigh-p	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步
存储容量：
18Mb （512K x 36）
时钟频率：
167MHz
访问时间：
3.4ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
3.135V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-TQFP（14x20）

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市福田区亿兴成电子商行	CY7C1380C	CYPRESS		TQFP	82		询价
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更多CY7C1380C供应商更新时间2025-7-29 13:00:00

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