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CY7C1353G	文件：229.5 Kbytes Page：13 Pages	4-Mbit (256K x 18) Flow-through SRAM with NoBL??Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1353Gisa3.3V,256Kx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1353GisequippedwiththeadvancedNoBusLatency™(NoBL™)logicrequi	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C1353G-100AXC	文件：229.5 Kbytes Page：13 Pages	4-Mbit (256K x 18) Flow-through SRAM with NoBL??Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1353Gisa3.3V,256Kx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1353GisequippedwiththeadvancedNoBusLatency™(NoBL™)logicrequi	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1353G-100AXI	文件：229.5 Kbytes Page：13 Pages	4-Mbit (256K x 18) Flow-through SRAM with NoBL??Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1353Gisa3.3V,256Kx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1353GisequippedwiththeadvancedNoBusLatency™(NoBL™)logicrequi	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1353G-117AXC	文件：229.5 Kbytes Page：13 Pages	4-Mbit (256K x 18) Flow-through SRAM with NoBL??Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1353Gisa3.3V,256Kx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1353GisequippedwiththeadvancedNoBusLatency™(NoBL™)logicrequi	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1353G-117AXI	文件：229.5 Kbytes Page：13 Pages	4-Mbit (256K x 18) Flow-through SRAM with NoBL??Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1353Gisa3.3V,256Kx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1353GisequippedwiththeadvancedNoBusLatency™(NoBL™)logicrequi	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1353G-133AXC	文件：229.5 Kbytes Page：13 Pages	4-Mbit (256K x 18) Flow-through SRAM with NoBL??Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1353Gisa3.3V,256Kx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1353GisequippedwiththeadvancedNoBusLatency™(NoBL™)logicrequi	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1353G-133AXI	文件：229.5 Kbytes Page：13 Pages	4-Mbit (256K x 18) Flow-through SRAM with NoBL??Architecture FunctionalDescription[1] TheCY7C1353Gisa3.3V,256Kx18SynchronousFlow-throughBurstSRAMdesignedspecificallytosupportunlimitedtrueback-to-backRead/Writeoperationswithouttheinsertionofwaitstates.TheCY7C1353GisequippedwiththeadvancedNoBusLatency™(NoBL™)logicrequi	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1353G_07	文件：575.66 Kbytes Page：13 Pages	4-Mbit (256K x 18) Flow-through SRAM with NoBL??Architecture	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1353G_12	文件：535.64 Kbytes Page：18 Pages	4-Mbit (256 K 횞 18) Flow-Through SRAM with NoBL??Architecture	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

详细参数

型号：
CY7C1353G
功能描述：
静态随机存取存储器 256Kx18 3.3V NoBL Sync PL 静态随机存取存储器 COM
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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