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CY7C1318KV18	文件：1.0195 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1316KV18, CY7C1916KV18, CY7C1318KV18, and CY7C1320KV18 are 1.8 V synchronous pipelined SRAM equipped with DDR II architecture. The DDR II consists of an SRAM core with advanced synchronous peripheral circuitry and a 1-bit burst counter. Features ■ 18-Mbit density 文件：1.0195 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1318KV18-250BZC	文件：1.0195 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1316KV18, CY7C1916KV18, CY7C1318KV18, and CY7C1320KV18 are 1.8 V synchronous pipelined SRAM equipped with DDR II architecture. The DDR II consists of an SRAM core with advanced synchronous peripheral circuitry and a 1-bit burst counter. Features ■ 18-Mbit density 文件：1.0195 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1318KV18-250BZI	文件：1.0195 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1316KV18, CY7C1916KV18, CY7C1318KV18, and CY7C1320KV18 are 1.8 V synchronous pipelined SRAM equipped with DDR II architecture. The DDR II consists of an SRAM core with advanced synchronous peripheral circuitry and a 1-bit burst counter. Features ■ 18-Mbit density 文件：1.0195 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1318KV18-250BZXC	文件：1.0195 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1316KV18, CY7C1916KV18, CY7C1318KV18, and CY7C1320KV18 are 1.8 V synchronous pipelined SRAM equipped with DDR II architecture. The DDR II consists of an SRAM core with advanced synchronous peripheral circuitry and a 1-bit burst counter. Features ■ 18-Mbit density 文件：1.0195 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1318KV18-300BZXC	文件：1.0195 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1316KV18, CY7C1916KV18, CY7C1318KV18, and CY7C1320KV18 are 1.8 V synchronous pipelined SRAM equipped with DDR II architecture. The DDR II consists of an SRAM core with advanced synchronous peripheral circuitry and a 1-bit burst counter. Features ■ 18-Mbit density 文件：1.0195 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1318KV18-333BZC	文件：1.0195 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1316KV18, CY7C1916KV18, CY7C1318KV18, and CY7C1320KV18 are 1.8 V synchronous pipelined SRAM equipped with DDR II architecture. The DDR II consists of an SRAM core with advanced synchronous peripheral circuitry and a 1-bit burst counter. Features ■ 18-Mbit density 文件：1.0195 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1318KV18-250BZXI	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - Other Memories - DDR-II CIO -	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1318KV18-300BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	双倍数据速率 (DDR) 同步 SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1318KV18-250BZCT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp
CY7C1318KV18-250BZI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp

技术参数

合格汽车：
否
突发长度（字）：
2
密度 (Kb)：
18432
Density (Mb)：
18
频率 (MHz)：
250
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
1.90
最高工作电压 (V)：
1.90
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
1.40
最低工作电压 (V)：
1.70
组织 (X x Y)：
1Mb x 18
Part Family：
DDR-II CIO
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业

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