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CY7C1318CV18-200BZXC	文件：1.24187 Mbytes Page：29 Pages	18-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture 文件：1.24187 Mbytes 页数：29 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C1318CV18-250BZI	文件：1.24187 Mbytes Page：29 Pages	18-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture 文件：1.24187 Mbytes 页数：29 Pages	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
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CY7C1318CV18-200BZI	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1318CV18-200BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1318CV18-250BZC	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1318CV18-200BZI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C1318CV18-200BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY7C1318CV18-250BZC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS

技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，DDR II
存储容量：
18Mb （1M x 18）
时钟频率：
167MHz
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-FBGA（13x15）

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市一线半导体有限公司	CY7C1318CV18-250BZC	CYPRESS	24+	BGA	90		询价
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更多CY7C1318CV18供应商更新时间2026-2-5 16:20:00

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