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CY7C1314KV18	文件：1.35322 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1312KV18, CY7C1314KV18, and CY7C1910KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedicated data outpu 文件：1.35322 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314KV18-250BZC	文件：1.35322 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1312KV18, CY7C1314KV18, and CY7C1910KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedicated data outpu 文件：1.35322 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314KV18-250BZI	文件：1.35322 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1312KV18, CY7C1314KV18, and CY7C1910KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedicated data outpu 文件：1.35322 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314KV18-250BZXC	文件：1.35322 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1312KV18, CY7C1314KV18, and CY7C1910KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedicated data outpu 文件：1.35322 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314KV18-300BZXC	文件：1.35322 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1312KV18, CY7C1314KV18, and CY7C1910KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedicated data outpu 文件：1.35322 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314KV18-333BZC	文件：1.35322 Mbytes Page：32 Pages	18-Mbit QDR짰 II SRAM Two-Word Burst Architecture Functional Description The CY7C1312KV18, CY7C1314KV18, and CY7C1910KV18 are 1.8 V Synchronous Pipelined SRAMs, equipped with QDR II architecture. QDR II architecture consists of two separate ports: the read port and the write port to access the memory array. The read port has dedicated data outpu 文件：1.35322 Mbytes 页数：32 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C1314KV18-250BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1314KV18-250BZXCT	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1314KV18-250BZXI	文件：300 bytes Page：1 Pages	Synchronous SRAM	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C1314KV18-250BZCT	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

合格汽车：
否
突发长度（字）：
2
密度 (Kb)：
18432
Density (Mb)：
18
频率 (MHz)：
250
最高工作温度 (°C)：
85
Max. Operating VCCQ (V)：
1.90
最高工作电压 (V)：
1.90
最低工作温度 (°C)：
-40
Min. Operating VCCQ (V)：
1.40
最低工作电压 (V)：
1.70
组织 (X x Y)：
512Kb x 36
Part Family：
QDR-II
Tape & Reel：
否
温度分类：
工业

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