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CY7C1314JV18-250BZXC

18 Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1314JV18-250BZXC

Package:165-LBGA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

Cypress Semiconductor Corp

CY7C1314JV18-250BZC

18MbitQDR-IISRAM2-WordBurstArchitecture

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1314JV18-250BZI

18MbitQDR-IISRAM2-WordBurstArchitecture

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

CY7C1314JV18-250BZXI

18MbitQDR-IISRAM2-WordBurstArchitecture

CypressCypressSemiconductor

赛普拉斯赛普拉斯半导体公司

产品属性

  • 产品编号:

    CY7C1314JV18-250BZXC

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,QDR II

  • 存储容量:

    18Mb(512K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.7V ~ 1.9V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-FBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

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更多CY7C1314JV18-250BZXC供应商 更新时间2025-5-30 8:21:00