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CY7C1314JV18-250BZXC中文资料赛普拉斯数据手册PDF规格书
| 厂商型号 |
CY7C1314JV18-250BZXC |
| 参数属性 | CY7C1314JV18-250BZXC 封装/外壳为165-LBGA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA |
| 功能描述 | 18 Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| 文件大小 |
639.13 Kbytes |
| 页面数量 |
26 页 |
| 生产厂商 | CypressSemiconductor |
| 企业简称 |
Cypress【赛普拉斯】 |
| 中文名称 | 赛普拉斯半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-23 20:00:00 |
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产品属性
- 产品编号：
CY7C1314JV18-250BZXC
- 制造商：
Cypress Semiconductor Corp
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，QDR II
- 存储容量：
18Mb（512K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
- 工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
165-LBGA
- 供应商器件封装：
165-FBGA（13x15）
- 描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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