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CY7C11701KV18	文件：754.81 Kbytes Page：26 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) 文件：754.81 Kbytes 页数：26 Pages	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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CY7C11701KV18-400BZXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC SRAM 18M PARALLEL 165FBGA	Infineon 英飞凌	Infineon
CY7C11701KV18-400BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，DDR II+
存储容量：
18Mb （512K x 36）
时钟频率：
400MHz
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-FBGA（13x15）

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更多CY7C11701KV18供应商更新时间2025-12-10 16:19:00

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