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CY7C11701KV18-400BZXC	文件：754.81 Kbytes Page：26 Pages	18-Mbit DDR II SRAM Two-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
CY7C11701KV18-400BZXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：165-LBGA；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA	Cypress Semiconductor Corp Cypress Semiconductor Corp	Cypress Semiconductor Corp

产品属性

产品编号：
CY7C11701KV18-400BZXC
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，DDR II+
存储容量：
18Mb（512K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
1.7V ~ 1.9V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
165-LBGA
供应商器件封装：
165-FBGA（13x15）
描述：
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA

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