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CY15B104QI-20LPXC	文件：362.79 Kbytes Page：39 Pages	4Mb EXCELON™ LP Ferroelectric RAM (F-RAM) Features • 4-Mbit ferroelectric random access memory (EXCELON™ LP F-RAM) logically organized as 512K × 8 - Virtually unlimited endurance 1000 trillion (1015) read/writes - 151-year data retention (See “Data retention and endurance” on page 26) - Infineon instant non-volatile write technology 文件：362.79 Kbytes 页数：39 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
CY15B104QI-20LPXCT	文件：362.79 Kbytes Page：39 Pages	4Mb EXCELON™ LP Ferroelectric RAM (F-RAM) Features • 4-Mbit ferroelectric random access memory (EXCELON™ LP F-RAM) logically organized as 512K × 8 - Virtually unlimited endurance 1000 trillion (1015) read/writes - 151-year data retention (See “Data retention and endurance” on page 26) - Infineon instant non-volatile write technology 文件：362.79 Kbytes 页数：39 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
CY15B104QI-20LPXC	文件：300 bytes Page：1 Pages	4Mb 3.3V Commercial 20MHz SPI EXCELON™ F-RAM in 8-pin GQFN with Inrush current control	Infineon 英飞凌	Infineon
CY15B104QI-20LPXC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-UQFN；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FRAM 4MBIT SPI 20MHZ 8GQFN	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
CY15B104QI-20LPXCT	文件：300 bytes Page：1 Pages	F-RAM（铁电RAM）	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
CY15B104QI-20LPXC
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
Excelon™-LP,F-RAM™
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
FRAM
技术：
FRAM（铁电体 RAM）
存储容量：
4Mb（512K x 8）
存储器接口：
SPI
电压 - 供电：
1.8V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-UQFN
供应商器件封装：
8-GQFN（3，23x3，28）
描述：
IC FRAM 4MBIT SPI 20MHZ 8GQFN

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