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SI8514-B-IM	文件：341.53 Kbytes Page：24 Pages	UNIDIRECTIONALACCURRENTSENSORS	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI8514-B-IM	文件：385.65 Kbytes Page：37 Pages	Si85XXUNIDIRECTIONALACCURRENTSENSORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
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TPCP8514	文件：303.55 Kbytes Page：7 Pages	BipolarTransistorsSiliconNPNEpitaxialType Applications •High-SpeedSwitching •DC-DCConverters Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=120to240(VCE=2V,IC=0.3A) (2)Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V(max)(IC=1.0A,IB=0.1A) (3)High-speedswitching:tf=170ns(typ.)(IC=1.0A)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TS8514VB	文件：87.29 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8514VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. FEATURES •Packagetype:chip •Packageform:singlechip •Technology:surfaceemitter •Dimensionschip(LxWxH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TS8514VB	文件：86.76 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8514VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedandass	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TS8514VB-SD-F	文件：86.76 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8514VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedandass	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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