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TPCP8514	文件：303.55 Kbytes Page：7 Pages	Marking：8514；Package：PS-8；Bipolar Transistors Silicon NPN Epitaxial Type Applications •High-SpeedSwitching •DC-DCConverters Features (1)HighDCcurrentgain:hFE=120to240(VCE=2V,IC=0.3A) (2)Lowcollector-emittersaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V(max)(IC=1.0A,IB=0.1A) (3)High-speedswitching:tf=170ns(typ.)(IC=1.0A)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TS8514VB	文件：86.76 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8514VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedandass	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TS8514VB	文件：90.59 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TS8514VB	文件：87.29 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8514VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. FEATURES •Packagetype:chip •Packageform:singlechip •Technology:surfaceemitter •Dimensionschip(LxWxH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TS8514VB-SD-F	文件：86.76 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8514VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedandass	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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更多TPCP8514供应商更新时间2025-6-3 11:03:00

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