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CUHS20S60	文件：246.87 Kbytes Page：5 Pages	丝印：96；Package：US2H；Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial 文件：246.87 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
CUHS20S60	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small-signal Schottky barrier diode	Toshiba 东芝	Toshiba
CUHS20S60,H3F	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-SMD，扁平引线；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：SCHOTTKY BARRIER DIODE, HIGH VBR	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
MGBR20S60CG-TND-R	文件：140 Kbytes Page：3 Pages	DUAL MOS GATED BARRIER RECTIFIERS 文件：140 Kbytes 页数：3 Pages	UTC 友顺	UTC
S20S60	文件：245.48 Kbytes Page：3 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(20A,30-60V) The D2PAK Power rectifier employs the Schottky Barrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art devices have the following features: * Low Forward Voltage. * Low Switching noise. * High Current Capacity * Guarantee Reverse Avalanche. * Guard-Ring for Stress Protection 文件：245.48 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
S20S60CR	文件：175.77 Kbytes Page：2 Pages	Schottky Barrier Rectifiers SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 20 AMPERES 35-60 VOLTS The I2PAK Power rectifier employs the SchottkyBarrier principle with a Molybdenum barrier metal. These state-of-the-art devices have the following features: * LowForward Voltage. * LowSwitching noise. * High Current Capacity 文件：175.77 Kbytes 页数：2 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC

技术参数

Life-cycle：
新产品
Product Category：
Small-signal Schottky barrier diode
internal_connection：
Single
IF/IF(AV)/IO (Max) (A)：
2.0
VR/VRRM (Max)(V)：
60
IR/IRRM (Max)(mA)：
0.650
CT/Cj (Typ.)(pF)：
290
Features：
High breakdown voltage/Low VF
Number of Circuits：
1
Number of pins：
2
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
US2H
Width×Length×Height(mm)：
2.5 x 1.4 x 0.60
Package Size(mm^2)：
3.50

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天津市博通航睿技术有限公司	CUHS20S60,H3F	TOSHIBA			100		询价
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