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CST30N10P

100V N-Channel Planar MOSFET

Convert

锴威特

F30N10G

N-Channel Enhancement MOSFET

Features • VDS=100V, ID=30A • RDS(ON)=17mΩ@VGS=10V(Typ.) • RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V(Typ.) • High Power and current handing capability • Lead free product is acquired • Surface Mount Package Main Applications • Battery Protection • Load Switch • Power Management

文件:235.77 Kbytes 页数:4 Pages

GWSEMI

唯圣电子

FIR30N10LG

100V N-Channel MOSFET

文件:2.4784 Mbytes 页数:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

FTK30N10D

N -Channel Power MOSFET

文件:359.22 Kbytes 页数:3 Pages

FS

技术参数

  • Package:

    TO220-3

  • Polarity:

    N

  • Technology:

    MVMOS

  • ESDDiode:

    N

  • FRDDiode:

    N

  • VDS(V):

    100

  • ID (A):

    30

  • Vth(V)Typ:

    1.3

  • RDS(ON) (mΩ)10Vtyp:

    30

  • Qg* (nC):

    70

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Convert Semiconductor(锴威特半
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TO-220
315000
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SMD
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更多CST30N10P供应商 更新时间2025-12-18 15:01:00