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CSSD2003	文件：43.93 Kbytes Page：1 Pages	Silicon switching diode DESCRIPTION: The CENTRAL SEMICONDUCTOR CSSD2003 is a high speed Silicon Switching Diode designed for computer and general purpose applications requiring a high breakdown voltage. 文件：43.93 Kbytes 页数：1 Pages	Central	Central
CSSD2003	文件：300 bytes Page：1 Pages	Through-Hole Diode-Switching Single	Central	Central
CXP2003M	文件：27.21 Kbytes Page：1 Pages	C-MOS SERIAL TO PARALLEL CONVERTER 文件：27.21 Kbytes 页数：1 Pages	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
D2003	文件：60.51 Kbytes Page：4 Pages	METAL GATE RF SILICON FET GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 5W – 28V – 1GHz PUSH–PULL FEATURES • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS • VERY LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS • LOW NOISE • HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM APPLICATIONS • VHF/UHF COMMUNICATIONS from 50 MHz to 1 G 文件：60.51 Kbytes 页数：4 Pages	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
D2003UK	文件：60.51 Kbytes Page：4 Pages	METAL GATE RF SILICON FET GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 5W – 28V – 1GHz PUSH–PULL FEATURES • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS • VERY LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS • LOW NOISE • HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM APPLICATIONS • VHF/UHF COMMUNICATIONS from 50 MHz to 1 G 文件：60.51 Kbytes 页数：4 Pages	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB

技术参数

Case：
DO-35
Configuration/description：
Single
VRRM(MAX)：
250V
Io(MAX)：
250mA
IFSM(MAX)：
1A
IR(MAX)：
100nA
VR：
150V
VF(MAX)：
1V
IF：
100mA
trr(TYP)：
-
trr(MAX)：
50ns
CJ(TYP)：
-
CJ(MAX)：
5pF

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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