丝印：88537N；Package：SOIC；CSD88537ND Dual 60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Avalanche Rated • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Half Bridge for Motor Control • Synchronous Buck Converter 3 Description This dual SO-8, 60 V, 12.5 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to serve as a half bridge in low c

文件：476.34 Kbytes 页数：11 Pages

TI

德州仪器

CSD88537ND Dual 60-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Avalanche Rated • Pb Free • RoHS Compliant • Halogen Free 2 Applications • Half Bridge for Motor Control • Synchronous Buck Converter 3 Description This dual SO-8, 60 V, 12.5 mΩ NexFET™ power MOSFET is designed to serve as a half bridge in low c

文件：479.72 Kbytes 页数：12 Pages

TI

德州仪器

CSD88537ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

文件：1.0064 Mbytes 页数：13 Pages

TI

德州仪器

CSD88537ND, Dual 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

文件：1.0064 Mbytes 页数：13 Pages

TI

德州仪器

采用 SO-8 封装的双路、15mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款双路小外形尺寸 (SO)-8，60V，12.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 旨在用作低电流电机控制应用中的半桥。 顶视图要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 60°C/W，这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2，2 盎司 的铜焊盘上测得的典型值。最大 RθJL = 20°C/W，脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1% • 超低 Qg 和 Qgd\n• 雪崩额定值\n• 无铅 \n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素;

TI

德州仪器