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CSD25404Q3	文件：461.67 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD25404；Package：VSON-CLIP；CSD25404Q3 –20 V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Low RDS(on) • Halogen Free • RoHS Compliant • Pb Free Terminal Plating • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Converters • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 文件：461.67 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25404Q3.B	文件：461.67 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD25404；Package：VSON-CLIP；CSD25404Q3 –20 V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Low RDS(on) • Halogen Free • RoHS Compliant • Pb Free Terminal Plating • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Converters • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 文件：461.67 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25404Q3T	文件：461.67 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD25404；Package：VSON-CLIP；CSD25404Q3 –20 V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Low RDS(on) • Halogen Free • RoHS Compliant • Pb Free Terminal Plating • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Converters • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 文件：461.67 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25404Q3T.B	文件：461.67 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD25404；Package：VSON-CLIP；CSD25404Q3 –20 V P-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Low RDS(on) • Halogen Free • RoHS Compliant • Pb Free Terminal Plating • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Converters • Battery Management • Load Switch • Battery Protection 3 Description This 文件：461.67 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25404Q3	文件：406.01 Kbytes Page：13 Pages	20 V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：406.01 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25404Q3T	文件：406.01 Kbytes Page：13 Pages	20 V P-Channel NexFET Power MOSFET 文件：406.01 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD25404Q3	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 -20V、5.5mΩ NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装，可提供出色的封装散热性能。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低 RDS(on) \n• 符合 RoHS 标准\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

VGS (V)：
-12
Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
6.5
Rds(on) max at VGS=2.5 V (mOhms)：
12.1
Rds(on) max at VGS=1.8 V (mOhms)：
150
Id peak (Max) (A)：
-240
Id max cont (A)：
-18
QG typ (nC)：
10.8
QGD typ (nC)：
2.2
QGS typ (nC)：
2.8
VGSTH typ (V)：
-0.9
Package (mm)：
SON 3x3

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深圳市胜彬电子有限公司	CSD25404Q3	TI/德州仪器	2232+	VSON8	24950	A3-7货柜原装正品支持实单	询价
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更多CSD25404供应商更新时间2025-10-12 14:02:00

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