采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 -20V，7.7mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少 SON 3 × 3 封装内的功率转换负载管理应用中的损耗，此封装类型针对器件的尺寸提供出色的热性能。 顶视图 RθJA = 55°C/W，这是在厚度为 0.060\" 的环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 铜过渡垫片（2 盎司）上测得的典型值。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2% • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低 RDS(on) \n• 符合 RoHS 环保标准\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装;

TI

德州仪器