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CSD19535KTT	文件：969.06 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD19535KTT；Package：DDPAK；CSD19535KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low-thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Hot swap • Motor control • Secondary side synchronous rectifier 3 Description This 100V, 2.8mΩ, D2PAK 文件：969.06 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19535KTT.B	文件：969.06 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD19535KTT；Package：DDPAK；CSD19535KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low-thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Hot swap • Motor control • Secondary side synchronous rectifier 3 Description This 100V, 2.8mΩ, D2PAK 文件：969.06 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19535KTTT	文件：969.06 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD19535KTT；Package：TO-263；CSD19535KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low-thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Hot swap • Motor control • Secondary side synchronous rectifier 3 Description This 100V, 2.8mΩ, D2PAK 文件：969.06 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19535KTTT.B	文件：969.06 Kbytes Page：16 Pages	丝印：CSD19535KTT；Package：TO-263；CSD19535KTT 100V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low-thermal resistance • Avalanche rated • Lead-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • D2PAK plastic package 2 Applications • Hot swap • Motor control • Secondary side synchronous rectifier 3 Description This 100V, 2.8mΩ, D2PAK 文件：969.06 Kbytes 页数：16 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19535KTT	文件：321.96 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.4mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC 文件：321.96 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
CSD19535KTT	文件：339.5 Kbytes Page：12 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：339.5 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19535KTTT	文件：339.5 Kbytes Page：12 Pages	100V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：339.5 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD19535KTT	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 100V、2.8mΩ D2PAK (TO-263) NexFET™功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。\n\n ™ • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• D2PAK 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
3.4
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
75
QGD typ (nC)：
11
Package (mm)：
D2PAK
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
2.7
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
197
ID - package limited (A)：
200
Logic level：
No

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