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CSD19535KTT

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.4mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

CSD19535KTT

100V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

CSD19535KTTT

100V N-Channel NexFET Power MOSFET

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

CSD19535KCS

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=150A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.6mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

CSD19535KCS

CSD19535KCS,100VN-ChannelNexFETPowerMOSFET

TI1Texas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

L-19535

SURFACEMOUNTDRUMCOREINDUCTOR

RHOMBUS-IND

Rhombus Industries Inc.

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更多CSD19535KTT供应商 更新时间2025-7-24 17:54:00