CSD19505KCS 80V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen Free • TO-220 plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description This 80 V, 2.6 mΩ, TO-220 NexFET™ pow

文件：1.21893 Mbytes 页数：13 Pages

TI

德州仪器

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 150A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 80V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3.1mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件：321.49 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

CSD19505KCS, 80 V N-Channel NexFET Power MOSFETs

文件：820.68 Kbytes 页数：10 Pages

TI

德州仪器

CSD19505KCS 80V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb-free terminal plating • RoHS compliant • Halogen Free • TO-220 plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description This 80 V, 2.6 mΩ, TO-220 NexFET™ pow

文件：1.21893 Mbytes 页数：13 Pages

TI

德州仪器

采用 TO-220 封装的单路、3.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 80V，2.6mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩额定值\n• 无铅端子镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 晶体管 (TO)-220 塑料封装;

TI

德州仪器