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CSD19505KCS规格书详情
描述 Description
这款 80V,2.6mΩ,TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低功率损耗。
特性 Features
• 超低 Qg 和 Qgd
• 低热阻
• 雪崩额定值
• 无铅端子镀层
• 符合 RoHS 环保标准
• 无卤素
• 晶体管 (TO)-220 塑料封装
应用 Application
次级侧同步整流器
电机控制
技术参数
- 制造商编号
:CSD19505KCS
- 生产厂家
:TI
- Configuration
:Single
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)
:3.1
- IDM - pulsed drain current (Max) (A)
:400
- QG typ (nC)
:76
- QGD typ (nC)
:11
- Package (mm)
:TO-220
- VGS (V)
:20
- VGSTH typ (V)
:2.6
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A)
:208
- ID - package limited (A)
:150
- Logic level
:No
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TI |
24+ |
TO-220 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
TI |
23+ |
TO-220 |
50000 |
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TI |
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70000 |
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TI |
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TO-220 |
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TI(德州仪器) |
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TO-220-3 |
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TI |
24+ |
TO-220 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
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TI/德州仪器 |
24+ |
NA/ |
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TI(德州仪器) |
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TO-220-3 |
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TI(德州仪器) |
24+ |
TO-220 |
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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TI |
22+23+ |
TO-220 |
8000 |
新到现货,只做原装进口 |
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