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CSD18537NQ5A

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 10mΩ,60V,SON 5mm x 6mm NexFET 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少功率转换应用中的损耗。 顶视图 要了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 40°C/W,这是在一个厚度 0.06 英寸环氧树脂 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上的 1 英寸2,2 盎司 的铜过渡垫片上测得的典型值 。最大 RθJC = 2.1°C/W,脉冲持续时间 ≤ 100µs,占空比 ≤ 1% • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅端子镀层\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 小外形尺寸无引线 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装;

TI

德州仪器

技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms):

    13

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A):

    151

  • QG typ (nC):

    14

  • QGD typ (nC):

    2.3

  • Package (mm):

    SON5x6

  • VGS (V):

    20

  • VGSTH typ (V):

    3

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A):

    54

  • ID - package limited (A):

    50

  • Logic level:

    No

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更多CSD18537NQ5供应商 更新时间2025-10-6 14:14:00