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CSD18536KTT

丝印:CSD18536KTT;Package:DDPAK;CSD18536KTT 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 60-V, 1.3-mΩ, D2PAK (TO-263) NexF

文件:982.57 Kbytes 页数:14 Pages

TI

德州仪器

CSD18536KTT.B

丝印:CSD18536KTT;Package:DDPAK;CSD18536KTT 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 60-V, 1.3-mΩ, D2PAK (TO-263) NexF

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德州仪器

CSD18536KTTT

丝印:CSD18536KTT;Package:TO-263;CSD18536KTT 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 60-V, 1.3-mΩ, D2PAK (TO-263) NexF

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CSD18536KTTT.B

丝印:CSD18536KTT;Package:TO-263;CSD18536KTT 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features 1• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 60-V, 1.3-mΩ, D2PAK (TO-263) NexF

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CSD18536KTT

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.6mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件:322.26 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

CSD18536KTT

60 V N-Channel NexFET Power MOSFET

文件:418.69 Kbytes 页数:13 Pages

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60 V N-Channel NexFET Power MOSFET

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CSD18536KTT

采用 D2PAK 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TPS25810-Q1 是一款 USB Type-C 下行数据端口 (DFP) 控制器,集成了一个额定电流为 3A 的 USB 电源开关。TPS25810-Q1 器件监测 Type-C 配置通道 (CC) 线路,确定 USB 设备何时与其相连。如果连接与上行数据端口 (UFP) 器件 相连,TPS25810-Q1 可将电源应用于 VBUS 并将可选 VBUS 拉电流能力通过 CC 线路传输至 UFP。如果使用以电气方式标记的电缆连接 UFP,TPS25810‑Q1 器件也可以将 VCONN 电源应用于电缆的 CC 引脚。TPS25810-Q1 器件还会识别何时连接了 Type-C 音频或调试附 • 兼容 USB Type-C 版本 1.2 的下行数据端口 (DFP) 控制器\n• 配置通道 (CC) STD、1.5A、3A 电流能力通告\n• VBUS 应用和放电\n• 音频和调试附件识别\n• 三个输入电源选项 \n• IN2:VCONN 电源\n• 电源唤醒可保证系统冬眠 (S4) 和关闭 (S5) 功耗状态下的低功耗\n• 1.7A 或 3.4A 可编程 ILIM (±7.1%)\n• 封装:20 引脚晶圆级四方扁平无引线 (WQFN) 封装 (3mm x 4mm) CC 引脚符合 IEC-61000-4-2 标准;

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技术参数

  • Configuration:

    Single

  • Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):

    2.2

  • Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms):

    1.6

  • IDM - pulsed drain current (Max) (A):

    400

  • QG typ (nC):

    108

  • QGD typ (nC):

    14

  • Package (mm):

    D2PAK

  • VGS (V):

    20

  • VGSTH typ (V):

    1.8

  • ID - silicon limited at Tc=25degC (A):

    349

  • ID - package limited (A):

    200

  • Logic level:

    Yes

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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1701+
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更多CSD18536KTT供应商 更新时间2025-12-15 14:02:00