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|---|---|---|---|---|
CSD18536KTT | 丝印:CSD18536KTT;Package:DDPAK;CSD18536KTT 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 60-V, 1.3-mΩ, D2PAK (TO-263) NexF 文件:982.57 Kbytes 页数:14 Pages | TI 德州仪器 | TI | |
丝印:CSD18536KTT;Package:DDPAK;CSD18536KTT 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 60-V, 1.3-mΩ, D2PAK (TO-263) NexF 文件:982.57 Kbytes 页数:14 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
丝印:CSD18536KTT;Package:TO-263;CSD18536KTT 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 60-V, 1.3-mΩ, D2PAK (TO-263) NexF 文件:982.57 Kbytes 页数:14 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
丝印:CSD18536KTT;Package:TO-263;CSD18536KTT 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 60-V, 1.3-mΩ, D2PAK (TO-263) NexF 文件:982.57 Kbytes 页数:14 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
CSD18536KTT | isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.6mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件:322.26 Kbytes 页数:2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
CSD18536KTT | 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件:418.69 Kbytes 页数:13 Pages | TI 德州仪器 | TI | |
60 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件:418.69 Kbytes 页数:13 Pages | TI 德州仪器 | TI | ||
CSD18536KTT | 采用 D2PAK 封装的单路、1.6mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET TPS25810-Q1 是一款 USB Type-C 下行数据端口 (DFP) 控制器,集成了一个额定电流为 3A 的 USB 电源开关。TPS25810-Q1 器件监测 Type-C 配置通道 (CC) 线路,确定 USB 设备何时与其相连。如果连接与上行数据端口 (UFP) 器件 相连,TPS25810-Q1 可将电源应用于 VBUS 并将可选 VBUS 拉电流能力通过 CC 线路传输至 UFP。如果使用以电气方式标记的电缆连接 UFP,TPS25810‑Q1 器件也可以将 VCONN 电源应用于电缆的 CC 引脚。TPS25810-Q1 器件还会识别何时连接了 Type-C 音频或调试附 • 兼容 USB Type-C 版本 1.2 的下行数据端口 (DFP) 控制器\n• 配置通道 (CC) STD、1.5A、3A 电流能力通告\n• VBUS 应用和放电\n• 音频和调试附件识别\n• 三个输入电源选项 \n• IN2:VCONN 电源\n• 电源唤醒可保证系统冬眠 (S4) 和关闭 (S5) 功耗状态下的低功耗\n• 1.7A 或 3.4A 可编程 ILIM (±7.1%)\n• 封装:20 引脚晶圆级四方扁平无引线 (WQFN) 封装 (3mm x 4mm) CC 引脚符合 IEC-61000-4-2 标准; | TI 德州仪器 | TI |
技术参数
- Configuration:
Single
- Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms):
2.2
- Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms):
1.6
- IDM - pulsed drain current (Max) (A):
400
- QG typ (nC):
108
- QGD typ (nC):
14
- Package (mm):
D2PAK
- VGS (V):
20
- VGSTH typ (V):
1.8
- ID - silicon limited at Tc=25degC (A):
349
- ID - package limited (A):
200
- Logic level:
Yes
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
1701+ |
TO-263-3 |
7 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
TO-263-3 |
12500 |
全新原装现货,假一赔十 |
询价 | ||
TI(德州仪器) |
24+ |
TO263-3 |
7548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
24+ |
TO-263-3 |
5000 |
全新、原装 |
询价 | |||
TI |
25+ |
DDPAK |
50 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
TI |
25+23+ |
TO-263-3 |
44093 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
TI |
1701+ |
TO-263- |
205 |
全新原装现货 |
询价 | ||
TI |
24+ |
TO-263-3 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
TI |
25+ |
TO263-3 |
1675 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
TI/德州仪器 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 |
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- PI7C8150B
- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
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- WNS40H100CB
- TD62308
- TD62308APG
- TD62308AFG
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- TL074
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