CSD18535KTT数据表ic资料库存现货德州仪器-114ic电子网

首页 >CSD18535KTT>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
CSD18535KTT	文件：439.85 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD18535KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD18535KTT 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 60-V, 1.6-mΩ, D2PAK (TO-263) NexF 文件：439.85 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18535KTT.B	文件：439.85 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD18535KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD18535KTT 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 60-V, 1.6-mΩ, D2PAK (TO-263) NexF 文件：439.85 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18535KTTT	文件：439.85 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD18535KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD18535KTT 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 60-V, 1.6-mΩ, D2PAK (TO-263) NexF 文件：439.85 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18535KTTT.B	文件：439.85 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD18535KTT；Package：DDPAK/TO-263；CSD18535KTT 60 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultralow Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • D2PAK Plastic Package 2 Applications • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 3 Description This 60-V, 1.6-mΩ, D2PAK (TO-263) NexF 文件：439.85 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18535KTT	文件：322.46 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.0mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：322.46 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
CSD18535KTT	文件：417.82 Kbytes Page：13 Pages	60 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：417.82 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18535KTTT	文件：417.82 Kbytes Page：13 Pages	60 V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：417.82 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18535KTT	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 D2PAK 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET 这款 60V、1.6mΩ、D2PAK (TO-263) NexFET功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。 • 超低 Qg和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• D2PAK 塑料封装;	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
2.9
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
2
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
63
QGD typ (nC)：
10.4
Package (mm)：
D2PAK
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.9
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
279
ID - package limited (A)：
200
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正纳电子有限公司	CSD18535KTT	TI/德州仪器	/ROHS.original	VSONP8	1481	原装现货特价/供应元器件代理经销。在线咨询	询价
深圳市胜彬电子有限公司	CSD18535KTT	TI/德州仪器	2216+	TO-263-3	8000	原装正品假一罚十	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	CSD18535KTT	TI(德州仪器)	24+	TO-263-3	36242	原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	CSD18535KTT	TI	24+	DDPAK/TO-263\|3	70230	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	CSD18535KTT		24+	TO-263-3	5000	全新、原装	询价
深圳市德正通电子有限公司	CSD18535KTT	TI	2517	TO-263-3	3000	原装正品现货,德为本,正为先,通天下!	询价
深圳市宝芯创电子有限公司	CSD18535KTT	TI	17+	TO-263	27632	进口原盘现货/500	询价
深圳市纳立科技有限公司	CSD18535KTT	TI	三年内		1983	只做原装正品	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD18535KTT	TI	20+	TO-263	53650	TI原装主营-可开原型号增税票	询价
深圳市欧亚佳电子有限公司	CSD18535KTT	TI	20+	TO-263	11520	特价全新原装公司现货	询价

更多CSD18535KTT供应商更新时间2025-10-13 9:00:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号