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CSD18535KTTT	文件：417.82 Kbytes Page：13 Pages	60 V N-Channel NexFET Power MOSFET	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
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CSD18535KCS	文件：322.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=200A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=2.0mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
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更多CSD18535KTTT供应商更新时间2024-4-27 14:14:00