丝印：CSD18535KCS；Package：TO-220；CSD18535KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb-Free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description This 60V, 1.6mΩ, TO-220 NexFET™ power

文件：889.09 Kbytes 页数：13 Pages

TI

德州仪器

丝印：CSD18535KCS；Package：TO-220；CSD18535KCS 60V N-Channel NexFET™ Power MOSFET

1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Pb-Free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description This 60V, 1.6mΩ, TO-220 NexFET™ power

文件：889.09 Kbytes 页数：13 Pages

TI

德州仪器

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 200A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.0mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-

文件：322.03 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

CSD18535KCS 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET

文件：338.7 Kbytes 页数：11 Pages

TI

德州仪器

CSD18535KCS 60 V N-Channel NexFET Power MOSFET

文件：338.7 Kbytes 页数：11 Pages

TI

德州仪器

采用 TO-220 封装的单路、2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 60V，1.6mΩ，TO-220 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中最大限度地降低损耗。 • 超低 Qg 和 Qgd\n• 低热阻\n• 雪崩级\n• 无铅引脚镀层\n• 符合 RoHS 环保标准\n• 无卤素\n• 晶体管 (TO)-220 塑料封装;

TI

德州仪器