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CSD18502Q5B	文件：530.49 Kbytes Page：14 Pages	丝印：CSD18502；Package：VSON-CLIP；CSD18502Q5B 40 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen-Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 2 Appli 文件：530.49 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18502Q5B.B	文件：530.49 Kbytes Page：14 Pages	丝印：CSD18502；Package：VSON-CLIP；CSD18502Q5B 40 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen-Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 2 Appli 文件：530.49 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD18502Q5BT.B	文件：530.49 Kbytes Page：14 Pages	丝印：CSD18502；Package：VSON-CLIP；CSD18502Q5B 40 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Logic Level • Pb-Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen-Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • DC-DC Conversion • Secondary Side Synchronous Rectifier • Motor Control 2 Appli 文件：530.49 Kbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18502KCS	文件：1.19758 Mbytes Page：14 Pages	丝印：CSD18502KCS；Package：TO-220；CSD18502KCS 40V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Pb free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • DC-DC conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description Th 文件：1.19758 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18502KCS	文件：321.66 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 40V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 2.9mΩ(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC- 文件：321.66 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
CSD18502KCS.B	文件：1.19758 Mbytes Page：14 Pages	丝印：CSD18502KCS；Package：TO-220；CSD18502KCS 40V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features • Ultra-low Qg and Qgd • Low thermal resistance • Avalanche rated • Logic level • Pb free terminal plating • RoHS compliant • Halogen free • TO-220 plastic package 2 Applications • DC-DC conversion • Secondary side synchronous rectifier • Motor control 3 Description Th 文件：1.19758 Mbytes 页数：14 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18502KCS	文件：906.4 Kbytes Page：9 Pages	40-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：906.4 Kbytes 页数：9 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18502Q5B	文件：945.63 Kbytes Page：15 Pages	40V N-Channel NexFET Power MOSFET 文件：945.63 Kbytes 页数：15 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD18502Q5B	文件：1.45539 Mbytes Page：12 Pages	40-V, N-Channel NexFET Power MOSFETs 文件：1.45539 Mbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
3.3
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
2.3
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
52
QGD typ (nC)：
8.4
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.8
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
204
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市亿智腾科技有限公司	CSD18502Q5B	TI	24+	N/A	7500	爱立购只做原装,样品支持终端工厂	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	CSD18502Q5B	TI/德州仪器	25+	VSON-CLIP-8	36000	TI/德州仪器全新特价CSD18502Q5B即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多CSD18502供应商更新时间2026-3-13 8:01:00

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