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CSD17570Q5B	文件：740 Kbytes Page：12 Pages	CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power M 文件：740 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17570Q5B	文件：743.32 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD17570；Package：VSON-CLIP(DNK)；CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power M 文件：743.32 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD17570Q5BG4	文件：743.32 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD17570；Package：VSON-CLIP(DNK)；CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power M 文件：743.32 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17570Q5BG4.B	文件：743.32 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD17570；Package：VSON-CLIP(DNK)；CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power M 文件：743.32 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17570Q5BG4.B	文件：740 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD17570；Package：VSON-CLIP；CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power M 文件：740 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17570Q5BT	文件：740 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD17570；Package：VSON-CLIP；CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power M 文件：740 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
CSD17570Q5BT	文件：743.32 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD17570；Package：VSON-CLIP(DNK)；CSD17570Q5B 30 V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Ultra-Low Resistance • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5 mm × 6 mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 30 V, 0.56 mΩ, SON 5 × 6 mm NexFET™ power M 文件：743.32 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
0.92
Rds(on) max at VGS=10 V (mOhms)：
0.69
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
400
QG typ (nC)：
93
QGD typ (nC)：
34
Package (mm)：
SON5x6
VGS (V)：
20
VGSTH typ (V)：
1.5
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
407
ID - package limited (A)：
100
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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