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CSD16403Q5A	文件：242.59 Kbytes Page：9 Pages	Marking：CSD16403；Package：VSONP；N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2•UltraLowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5mmx6mmPlasticPackage APPLICATIONS •Point-of-LoadSynchronousBuckConverter forApplicationsinNetworking,Telecomand ComputingSystems	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD16403Q5A.B	文件：242.59 Kbytes Page：9 Pages	Marking：CSD16403；Package：VSONP；N-Channel NexFET™ Power MOSFETs 1FEATURES 2•UltraLowQgandQgd •LowThermalResistance •AvalancheRated •PbFreeTerminalPlating •RoHSCompliant •HalogenFree •SON5mmx6mmPlasticPackage APPLICATIONS •Point-of-LoadSynchronousBuckConverter forApplicationsinNetworking,Telecomand ComputingSystems	TI2Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI2
CSD16403Q5A	文件：345.88 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel NexFET??Power MOSFETs	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
ELM16403EA-N	文件：94.88 Kbytes Page：4 Pages	SingleP-channelMOSFET	ELM-TECHELM Technology Corporation 榆木科技榆木科技股份公司	ELM-TECH
ELM16403EA-S	文件：396.24 Kbytes Page：4 Pages	SingleP-channelMOSFET	ELM-TECHELM Technology Corporation 榆木科技榆木科技股份公司	ELM-TECH
T-16403	文件：53.9 Kbytes Page：1 Pages	T1/CEPT/ISDN-PRISMD12PinDualTransformers	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND

详细参数

型号：
CSD16403Q
功能描述：
MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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