采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

此 NexFET 功率 MOSFET 的设计大大减少了功率转换中的损失并针对 5V 栅极应用进行了优化。 在 1 in2 2 盎司纯铜 (Cu) (2 oz.) 且厚度为 0.060\" 的环氧板 (FR4) 印刷电路板 (PCB) 上，RθJA = 40°C/W （典型值）。脉宽 ≤300μs，占空比 ≤2% • 针对 5V 栅极驱动而优化\n• VGS = 2.5V 时的额定电阻值\n• 超低栅极电荷 (Qg) 和栅漏电荷 (Qgd)\n• 低热电阻\n• 额定雪崩能量\n• 无铅端子封装\n• 符合 RoHS 标准\n• 无卤素\n• 无引线小外形尺寸 (SON) 5mm x 6mm 塑料封装;

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德州仪器

N-Channel NexFET??Power MOSFETs

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Long, female end cap compatible with LINNEA-ZT25-B

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LEDIL

Redundant Secondary Switching Power Supply Controller

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RENESAS

瑞萨

Redundant Secondary Switching Power Supply Controller

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HitachiHitachi Semiconductor

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