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CSD16570Q5B	文件：503.52 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16570；Package：VSON-CLIP；CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Extremely Low Resistance • Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 文件：503.52 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD16570Q5BT	文件：503.52 Kbytes Page：12 Pages	丝印：CSD16570；Package：VSON-CLIP；CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Extremely Low Resistance • Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 文件：503.52 Kbytes 页数：12 Pages	TI 德州仪器	TI
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CSD16570Q5BT.B	文件：506.84 Kbytes Page：13 Pages	丝印：CSD16570；Package：VSON-CLIP(DNK)；CSD16570Q5B 25-V N-Channel NexFET™ Power MOSFET 1 Features 1• Extremely Low Resistance • Low Qg and Qgd • Low Thermal Resistance • Avalanche Rated • Pb Free Terminal Plating • RoHS Compliant • Halogen Free • SON 5-mm × 6-mm Plastic Package 2 Applications • ORing and Hot Swap Applications 3 Description This 25 V, 0.49 mΩ, SON 5 × 文件：506.84 Kbytes 页数：13 Pages	TI 德州仪器	TI

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技术参数

Configuration：
Single
Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)：
5.5
IDM - pulsed drain current (Max) (A)：
115
QG typ (nC)：
6.5
QGD typ (nC)：
1.2
Package (mm)：
SON3x3
VGS (V)：
10
VGSTH typ (V)：
0.85
ID - silicon limited at Tc=25degC (A)：
21
ID - package limited (A)：
60
Logic level：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市瑞卓芯科技有限公司	CSD16340Q3	TI/德州仪器	22+	SON8	93000	原装正品	询价
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