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CS5N120F	文件：300 bytes Page：1 Pages	平面MOSFET	Convert 锴威特	Convert
HGTG5N120BND	文件：216.81 Kbytes Page：8 Pages	21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes The HGTG5N120BND and HGTP5N120BND are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduc 文件：216.81 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
HGTP5N120	文件：216.81 Kbytes Page：8 Pages	21A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes The HGTG5N120BND and HGTP5N120BND are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduc 文件：216.81 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
SGH5N120RUFD	文件：513.9 Kbytes Page：8 Pages	Short Circuit Rated IGBT General Description Fairchilds RUFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) provides low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. The RUFD series is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters w 文件：513.9 Kbytes 页数：8 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD

技术参数

Package：
TO220F
Configuration：
single
Type：
N
ESD Diode：
No
FRD Diode：
No
VDS(V)：
1200
VGS(±V)：
30
ID* (A) @25°C：
5
RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vtyp：
2800
RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vmax：
3400
VGS(th) (V)min：
3
VGS(th) (V)max：
5
Ciss (pF)：
1326
Coss (pF)：
122
Crss (pF)：
20
Qg* (nC)：
56
Qgd (nC)：
33.5
Trr (ns)：
711
Qrr (uC)：
1.4

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