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CS4N65FA9R	文件：267.9 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET Features： - Fast Switching - ESD Improved Capability - Low Gate Charge (Typical Data: 14.5nC) - Low Reverse transfer capacitances(Typical:3.5pF) - 100Single Pulse avalanche energy Test 文件：267.9 Kbytes 页数：10 Pages	HUAJING-MICRO 华润微电子	HUAJING-MICRO
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技术参数

ID（A）：
4
RDSON（Ω）（@Vgs=10V）：
2.5
VGS（TH）(V)：
2-4
QG（nC）：
14.5
封装形式：
TO-220F
状态：
量产
更新日期：
2018-01-03

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