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CS4N65FA9R	文件：267.9 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET Features： - Fast Switching - ESD Improved Capability - Low Gate Charge (Typical Data: 14.5nC) - Low Reverse transfer capacitances(Typical:3.5pF) - 100Single Pulse avalanche energy Test 文件：267.9 Kbytes 页数：10 Pages	HUAJING-MICRO 华润微电子	HUAJING-MICRO
CS4N65FA9R	文件：300 bytes Page：1 Pages	300V-900V NMOS	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
CS4N65FA9R-G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS 场效应晶体管--普通MOSFET	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
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CS4N80FA9HD	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-220F	CRMICRO华润微上传：深圳市乐创天科技有限公司	CRMICRO华润微

技术参数

Polarity：
N
VDS(V)：
650
ID(A)：
4
RDS(ON) at Vgs=10V_TYP(mΩ)：
2400
RDS(ON) at Vgs=10V_MAX(mΩ)：
2800
VGS(TH)_Min(V)：
2
VGS(TH)_Max(V)：
4
Qg_Typ(nC)：
14.5
Ciss_Typ(pF)：
610

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CS4N65FA9R供应商更新时间2025-11-24 16:00:00

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