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CS4N65	文件：350.12 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET Features： - Fast Switching - ESD Improved Capability - Low Gate Charge (Typical Data:14.5nC) - Low Reverse transfer capacitances(Typical: 8.5pF) - 100Single Pulse avalanche energy Test 文件：350.12 Kbytes 页数：10 Pages	HUAJING-MICRO 华润微电子	HUAJING-MICRO
CS4N65	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
CS4N65A8HD	文件：350.12 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET Features： - Fast Switching - ESD Improved Capability - Low Gate Charge (Typical Data:14.5nC) - Low Reverse transfer capacitances(Typical: 8.5pF) - 100Single Pulse avalanche energy Test 文件：350.12 Kbytes 页数：10 Pages	HUAJING-MICRO 华润微电子	HUAJING-MICRO
CS4N65F	文件：267.9 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET Features： - Fast Switching - ESD Improved Capability - Low Gate Charge (Typical Data: 14.5nC) - Low Reverse transfer capacitances(Typical:3.5pF) - 100Single Pulse avalanche energy Test 文件：267.9 Kbytes 页数：10 Pages	HUAJING-MICRO 华润微电子	HUAJING-MICRO
CS4N65FA9R	文件：267.9 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET Features： - Fast Switching - ESD Improved Capability - Low Gate Charge (Typical Data: 14.5nC) - Low Reverse transfer capacitances(Typical:3.5pF) - 100Single Pulse avalanche energy Test 文件：267.9 Kbytes 页数：10 Pages	HUAJING-MICRO 华润微电子	HUAJING-MICRO
CS4N65A	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压MOSFET	JIAXUN 佳讯电子	JIAXUN
CS4N65A31R-G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS 场效应晶体管--普通MOSFET	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO

技术参数

ID（A）：
4
RDSON（Ω）（@Vgs=10V）：
2.8
VGS（TH）(V)：
2-4
QG（nC）：
14.5
封装形式：
TO-251
状态：
量产
更新日期：
2017-09-30

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更多CS4N65供应商更新时间2025-10-10 9:26:00

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