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CS4N60FA9R-G

MOS 场效应晶体管--普通MOSFET;

CRMICROChina Resources Microelectronics Limited

华润微电子华润微电子有限公司

技术参数

  • ID(A):

    4

  • RDSON(Ω)(@Vgs=10V):

    2.5

  • VGS(TH)(V):

    2-4

  • QG(nC):

    14.5

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 状态:

    量产

  • 更新日期:

    2018-07-23

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更多CS4N60FA9R-G供应商 更新时间2025-7-28 16:02:00