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CS20N60F	文件：435.64 Kbytes Page：10 Pages	Fast Switching General Description： CS20N60F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for sy 文件：435.64 Kbytes 页数：10 Pages	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
CS20N60FA9H	文件：435.64 Kbytes Page：10 Pages	Fast Switching General Description： CS20N60F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for sy 文件：435.64 Kbytes 页数：10 Pages	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
CS20N60F	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V N-Channel Planar MOSFET	Convert 锴威特	Convert
CS20N60FA9R	文件：300 bytes Page：1 Pages	300V-900V NMOS	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
CS20N60FA9R-G	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS 场效应晶体管--普通MOSFET	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO

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更多CS20N60F供应商更新时间2025-10-6 15:05:00