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CS20N60FA9R-G

MOS 场效应晶体管--普通MOSFET

CRMICRO

华润微电子

CS20N60FA9H

Fast Switching

General Description: CS20N60F A9H, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for sy

文件:435.64 Kbytes 页数:10 Pages

CRMICRO

华润微电子

CS20N65FA9H

CRMICRO华润微
TO-220F

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CRMICRO华润微

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CS20N65FA9R

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TO-220

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技术参数

  • ID(A):

    20

  • RDSON(Ω)(@Vgs=10V):

    0.45

  • VGS(TH)(V):

    2-4

  • QG(nC):

    57

  • 封装形式:

    TO-220F

  • 状态:

    量产

  • 更新日期:

    2019-11-14

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更多CS20N60FA9R-G供应商 更新时间2025-10-6 15:05:00