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CS200N10W

平面MOSFET

Convert

锴威特

G200N10K

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The G200N10K uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) , low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. Application l Power switch l DC/DC converters

文件:920.07 Kbytes 页数:6 Pages

GOFORD

谷峰半导体

IXFK200N10P

Polar HiPerFET Power MOSFET

文件:119.44 Kbytes 页数:5 Pages

IXYS

艾赛斯

IXFK200N10P

Power MOSFET

文件:208.05 Kbytes 页数:6 Pages

IXYS

艾赛斯

技术参数

  • Package:

    TO247-3

  • Configuration:

    single

  • Type:

    N

  • ESD Diode:

    No

  • FRD Diode:

    No

  • VDS(V):

    100

  • VGS(±V):

    20

  • ID* (A) @25°C:

    200

  • RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vtyp:

    6.5

  • RDS(ON) (mΩ)* atVGS=10Vmax:

    8

  • VGS(th) (V)min:

    2

  • VGS(th) (V)max:

    4

  • Ciss (pF):

    6100

  • Coss (pF):

    2000

  • Crss (pF):

    1500

  • Qg* (nC):

    420

  • Qgd (nC):

    260

  • Trr (ns):

    260

  • Qrr (uC):

    2.1

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
霍尔
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更多CS200N10W供应商 更新时间2025-11-23 11:10:00