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CS150N03	文件：511.32 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET General Description： CS150N03 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM applications 文件：511.32 Kbytes 页数：10 Pages	HUAJING-MICRO 华润微电子	HUAJING-MICRO
CS150N03 A8	文件：511.32 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET General Description： CS150N03 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM applications 文件：511.32 Kbytes 页数：10 Pages	HUAJING-MICRO 华润微电子	HUAJING-MICRO
CS150N03A8	文件：511.32 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N-Channel Power MOSFET General Description： CS150N03 A8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the high density Trench technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. This device is suitable for use as a load switch and PWM applications 文件：511.32 Kbytes 页数：10 Pages	HUAJING-MICRO 华润微电子	HUAJING-MICRO
CS150N03A8	文件：300 bytes Page：1 Pages	12V-300V NMOS	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
CS150N03D8	文件：300 bytes Page：1 Pages	12V-300V NMOS	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO

技术参数

Polarity：
N
VDS(V)：
30
ID(A)：
150
RDS(ON) at Vgs=10V_TYP(mΩ)：
2.4
RDS(ON) at Vgs=10V_MAX(mΩ)：
3.5
RDS(ON) at Vgs=4.5V_TYP(mΩ)：
5
RDS(ON) at Vgs=4.5V_MAX(mΩ)：
6.5
VGS(TH)_Min(V)：
1
VGS(TH)_Max(V)：
3
Qg_Typ(nC)：
145.8
Ciss_Typ(pF)：
7901

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安富世纪电子有限公司	CS150N03	华晶	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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更多CS150N03供应商更新时间2026-10-29 13:01:00

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