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EMB12N06CS	文件：230.11 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB12N06G	文件：183.66 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD12N06A	文件：224.31 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)12mΩ ID48A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMD12N06H	文件：210.58 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)12mΩ ID48A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
FIR12N06PG	文件：3.52441 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMosfet	FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd. 福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司	FOSTER
FTP12N06N	文件：54.71 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancement InPowerProductLines	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
IXTU12N06T	文件：314.64 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXTU12N06T	文件：168.73 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTY12N06T	文件：168.73 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IXTY12N06T	文件：307.34 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM12N06	文件：260.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP12N06	文件：279.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.2Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP12N06	文件：222.11 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.180OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTP12N06EZL	文件：222.11 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET12AMPERES60VOLTSRDS(on)=0.180OHM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
RFD12N06	文件：503.43 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -RDS(ON)	UMWUMW Rightway Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司(简称UMW?)	UMW
RFD12N06LESM	文件：897.04 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFD12N06RLE	文件：215.95 Kbytes Page：10 Pages	17A,60V,0.071Ohm,N-Channel,LogicLevelUltraFETPowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.063Ω,VGS=10V -rDS(ON)=0.071Ω,VGS=5V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER© ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulse	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFD12N06RLE	文件：49.12 Kbytes Page：6 Pages	12A,60V,0.135Ohm,N-Channel,LogicLevel,PowerMOSFETs TheseN-ChannellogiclevelESDprotectedpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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更多CS12N06AE-G供应商更新时间2024-9-21 14:30:00

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