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CS10N06BE-G	文件：300 bytes Page：1 Pages	12V-300V NMOS	CRMICRO 华润微电子	CRMICRO
EMD10N06A	文件：224.35 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：224.35 Kbytes 页数：6 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
EMD10N06E	文件：230.25 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 10mΩ ID 100A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 文件：230.25 Kbytes 页数：5 Pages	EXCELLIANCE 杰力科技	EXCELLIANCE
HM10N06Q	文件：749.32 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：749.32 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI

技术参数

Polarity：
N
VDS(V)：
60
ID(A)：
10
RDS(ON) at Vgs=10V_TYP(mΩ)：
12.5
RDS(ON) at Vgs=10V_MAX(mΩ)：
16
RDS(ON) at Vgs=4.5V_TYP(mΩ)：
15
RDS(ON) at Vgs=4.5V_MAX(mΩ)：
20
VGS(TH)_Min(V)：
1
VGS(TH)_Max(V)：
2
Qg_Typ(nC)：
43.45
Ciss_Typ(pF)：
1876

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多CS10N06BE-G供应商更新时间2025-11-25 15:07:00

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