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HM10N06Q	文件：749.32 Kbytes Page：7 Pages	丝印：HM10N06Q；Package：DFN3x3-8L；N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 文件：749.32 Kbytes 页数：7 Pages	HMSEMI 华之美半导体	HMSEMI
HM10N06Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	N沟道中压大电流MOS(100V以下)	HmpowerSemi 虹美功率	HmpowerSemi
KI10N06DY	文件：716 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel MOSFET 文件：716 Kbytes 页数：5 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
LMAK10N06	文件：1.90426 Mbytes Page：5 Pages	60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 文件：1.90426 Mbytes 页数：5 Pages	LEIDITECH 雷卯电子	LEIDITECH
MTM10N06E	文件：261.37 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：261.37 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

封装（Package）：
DFN3X3-8L
沟道（Polarity）：
N沟道
VDS(Max)BVDSS(V)：
60.00V
ID(Max)ID(A)：
10.00A
IDM：
30.00A
VTH(Typ)：
3.00V
VGS：
20.00V
RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)：
37.00mΩ
RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)：
0.00mΩ
直接替代型号（compatible）：
AON7446

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HM10N06Q供应商更新时间2026-4-24 14:01:00

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