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CPH6636R	文件：323.8 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：323.8 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6636R-TL-W	文件：323.8 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFET 文件：323.8 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6636R	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual N-Channel Common Drain Power MOSFET, 24V, 6A, 20mΩ CPH6636R is N-Channel Power MOSFET, 24V, 6A, 20mΩ, Dual CPH6 Common Drain. Low On-resistance\nBest suited for LiB charging and discharging switch\nWith a built-in gate resistor\nProtection diode in\n2.5V drive\nCommon-drain type;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
IRF6636	文件：238.94 Kbytes Page：9 Pages	Low Resistance and Low Charge Along With Ultra Low Package Inductance to Reduce Description The IRF6636 combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout 文件：238.94 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF6636PBF	文件：288.06 Kbytes Page：10 Pages	DirectFETPower MOSFET Description The IRF6636PbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layo 文件：288.06 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF6636PBF	文件：288.06 Kbytes Page：10 Pages	Ideal for CPU Core DC-DC Converters 文件：288.06 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

Compliance：
Pb-freeHalide free
Status：
Active
Description：
Dual N-Channel Common Drain Power MOSFET
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
24
VGS Max (V)：
±12
VGS(th) Max (V)：
1.3
ID Max (A)：
6
PD Max (W)：
0.9
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
28.7
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
20
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
18
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
3
Package Type：
CPH-6

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更多CPH6636R供应商更新时间2025-11-25 14:02:00

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