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CPH6443	文件：377.54 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • ON-resistance RDS(on)1=28mΩ(typ.) • 4V drive • Halogen free compliance • Protection diode in 文件：377.54 Kbytes 页数：4 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH6443	文件：531.2 Kbytes Page：5 Pages	Single N-Channel Power MOSFET This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements. Features • Low On-Resistance • 4V driv 文件：531.2 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6443	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single N-Channel Power MOSFET, 35V, 6A, 37mΩ This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements. • Low On-Resistance\n• Improves Efficiency by Reducing Conduction Losses,Reduces Heat Dissipation\n• ESD Diode-Protected Gate\n• ESD Resistance\n• RoHS compliance\n• Environmental Consideration\n• 4V Drive;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6443-TL-H	文件：531.2 Kbytes Page：5 Pages	Single N-Channel Power MOSFET This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements. Features • Low On-Resistance • 4V driv 文件：531.2 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6443-TL-W	文件：531.2 Kbytes Page：5 Pages	Single N-Channel Power MOSFET This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements. Features • Low On-Resistance • 4V driv 文件：531.2 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
CPH6443_12	文件：557.48 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：557.48 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH6443-TL-H	文件：557.48 Kbytes Page：7 Pages	General-Purpose Switching Device Applications 文件：557.48 Kbytes 页数：7 Pages	SANYO 三洋	SANYO
CPH6443-TL-H	文件：300 bytes Page：1 Pages	场效应管(MOSFET)	SANYOU 三友	SANYOU
CPH6443-P-TL-H	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个描述：MOSFET N-CH 35V 6A CPH6	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
35
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.6
ID Max (A)：
6
PD Max (W)：
1.6
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
61
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
37
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
10
Ciss Typ (pF)：
470
Package Type：
CPH-6

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更多CPH6443供应商更新时间2026-10-22 14:00:00

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