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CPH6443数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

CPH6443

参数属性

CPH6443 封装/外壳为SOT-23-6;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 35V 6A CPH6

功能描述

Single N-Channel Power MOSFET, 35V, 6A, 37mΩ
MOSFET N-CH 35V 6A CPH6

封装外壳

SOT-23-6

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-14 11:32:00

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CPH6443规格书详情

描述 Description

This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge driving or low on resistance requirements.

特性 Features

• Low On-Resistance
• Improves Efficiency by Reducing Conduction Losses,Reduces Heat Dissipation
• ESD Diode-Protected Gate
• ESD Resistance
• RoHS compliance
• Environmental Consideration
• 4V Drive

应用 Application

• Current Balance Switch for Backlight
• DC/DC Converter
• LED TV
• General Purpose Power Supply Module
• Audio Equipment

简介

CPH6443属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的CPH6443晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :CPH6443

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :35

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.6

  • ID Max (A)

    :6

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :61

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :37

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :10

  • Ciss Typ (pF)

    :470

  • Package Type

    :CPH-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOT-363
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