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CPH6341中文资料P 沟道,功率 MOSFET,-30V,-5A,59mΩ数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

CPH6341

参数属性

CPH6341 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET P-CH 30V 5A CPH6

功能描述

P 沟道,功率 MOSFET,-30V,-5A,59mΩ
MOSFET P-CH 30V 5A CPH6

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-29 12:00:00

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CPH6341规格书详情

描述 Description

CPH6341 is a P-Channel Power MOSFET, -30V, -5A, 59mΩ, Single CPH6 for general purpose switching applications.

特性 Features

• Low ON resistance
• 4.0 V gate drive
• High-speed switching
• Protection diode in

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications

简介

CPH6341属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的CPH6341晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :CPH6341

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.6

  • ID Max (A)

    :-5

  • PD Max (W)

    :1.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :100

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :59

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :10

  • Ciss Typ (pF)

    :430

  • Package Type

    :CPH-6

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